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                              半导体外延片

                              生长基于Axitron MOCVD系统开发的III-V族化合物半导体光电子器件外延片,可定制GaAs和InP衬底多层化合物外延生长,覆盖Al-Ga-In-As-P组合的所有材料体系,实现由多量子阱、布拉格反射镜(DBR)、隧道结等构成的半导体激光器、超辐射二极管、垂直腔面发射激光器、半导体光放大器、…
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